Новые USB-накопители станут в 1000 раз быстрее

Ученые из Южной Кореи разработали полупроводниковую память для нового поколения запоминающих устройств. Эта память потребляет намного меньше электроэнергии и при этом работает значительно быстрее, чем обычные запоминающие устройства на флеш-накопителях USB. К примеру, чтобы записать на USB-накопитель фильм объемом 1 Гб, потребуется теперь менее секунды.

Новое устройство полупроводниковой памяти состоит из транзистора на основе микроэлектронной схемы, только вместо силикона в нем применяются углеродные нано-трубки. Сейчас вся записывающая электроника оснащена устройствами, в которых электрический ток проходит через изоляционный слой. Во время прохождения электричества осуществляется процесс записи. Если ток пропускать в обратном направлении, то запись удаляется. Для осуществления процесса записи на новом устройстве пропускать электричество через изолятор не требуется. С помощью специального переключателя обеспечивается прямой контакт, что и позволяет экономить электроэнергию и время.

Скорость передачи данных в новом устройстве – около 100 наносекунд (0,000001 сек), что в 1000 раз быстрее, чем на обычных USB-накопителях. Новые флешки смогут сохранять данные даже в том случае, если не станет электричества. Разработка южнокорейских ученых позволит в перспективе выпускать электротовары, которые будут использовать намного меньше электроэнергии.